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英特尔将推65nm手机闪存 存储量增一倍 |
| 文章来源：最新采集
发布时间:2006/4/11 10:41:50 【关闭】 |
2007年，采用英特尔公司的超密集NOR闪存芯片制造的移动电话可存储的照片数可能是今天的两倍。英特尔将采用65nm技术实现这种超密集芯片。与标准的90nm闪存相比，65nm芯片不必堆叠两个芯片，可在单个存储层上存储1Gb数据。英特尔公司称，今年第四季度交付这种代号为Capulet的闪存样品，并称将至少比竞争对手Spansion和三星电子提前半年。按照这样的交付计划，65nm闪存的推出与90nm StrataFlash蜂窝存储器芯片的推出仅相隔一年。
三星电子公司日前宣布批量生产70nm 1Gb OneNAND芯片，这是一种广泛使用的存储器件，性能高于普通闪存。三星转用70nm技术以后，与目前整个行业使用的90nm工艺技术相比，生产效率可提高70%。
三星的70nm OneNAND融合了NOR闪存迅速启动及快速读数据的能力和NAND闪存高容量数据存储及快速写的能力。这种70nm器件现在已经用于100多种移动产品，还可用于数字相机、机顶盒和数字电视机。上个月在第三届三星移动解决方案论坛上，三星公司还发布了采用OneNAND的高速存储卡。
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