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恩智浦台积电携手发表七项半导体创新技术 |
| 文章来源：最新采集
发布时间:2007/12/24 9:26:04 【关闭】 |
| 由飞利浦创建的独立半导体公司恩智浦半导体(NXPSemiconductors）与台湾地区积体电路制造股份有限公司于美国华盛顿特区(WashingtonD.C.)举行的国际电子器件会议(InternationalElectronDevicesMeeting，IEDM)上共同发表七篇技术文章，报告双方通过恩智浦-台积电研究中心(NXP-TSMCResearchCenter)合作开发的半导体技术及制程方面的创新。 在会议中，恩智浦-台积电研究中心发表了创新的嵌入式存储技术，这与传统的非易失性存储器相较，速度最多可以快上1,000倍，同时也具备小尺寸及低功耗等优势，预估其功耗较目前的存储器至少小十分之一，制造成本也比一般的嵌入式存储器节省百分之五到十。此外，在使用近距无线通信技术(NFC，NearFieldCommunication)进行移动支付或数据传输时，此技术有助于避免数据干扰并可以增加数据传输的安全性。 另一个技术文章发表的是置换传统石英谐振器的创新突破，此技术可以在芯片中内建更小及更薄的定时器，而可以直接在智能卡或移动电话SIM卡芯片上内建定时器，进一步强化智能卡的加密保护功能。 此外，该研究中心也将发表在晶体管上的创新突破，报告新一代晶体管的效能以及其在多方面的应用。 恩智浦-台积电研究中心于IEDM所发表的七篇技术文章其创新突破简介如下： *提高晶体管频率(HighFrequencyBreakthrough):Anovelfullyself-alignedSiGe:CHBTarchitecturefeaturingasinglestepepitaxialcollector-baseprocess *简化便携产品应用的低耗电量CMOS制程(ProcessSimplificationforLowPowerCMOSProcessesforPortableApplications):TuningPMOSMo(O,N)metalgatestoNMOSbyadditionofDyOcappinglayer *新一代晶体管(NewGenerationTransistor):Demonstrationofhigh-performanceFinFETdevicesfeaturinganoptimizedgatestack *展现高效能CMOS制程(DemonstrationofHighPerformanceFullCMOSProcess):LowVtCMOSusingdopedHf-basedoxides,TaC-basedMetalsandLaser-onlyAnneal *创新的电路设计，大幅降低功耗百分之八十(ReducingPowerConsumptionEffectivelyby80%):Rapidcircuit-basedoptimizationoflowoperationalpowerCMOSdevices *更快速、更省电、尺寸更小的嵌入式存储器(Faster,LowPower,ScalableEmbeddedMemory):Evidenceofthethermo-electricThomsoneffectandinfluenceontheprogramconditionsandcelloptimizationinphase-rangememorycells &n |
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