| 绘图芯片双雄NVIDIA及超微（AMD）决定在下月推出新款芯片，由于采用制程将微缩至65纳米及55纳米，核心运算时脉拉高至600MHz，所以采用的覆晶基板将由六层板升级为八层板。然因目前覆晶基板厂正面临英特尔中央处理器制程微缩至45纳米，导致30-40％的产能自然耗减问题，现在绘图芯片覆晶基板层数增加后，又将导致20％的产能自然耗减，包括全懋、景硕、南电等业者均对明年景气乐观期待。
英特尔45纳米Penryn系列四核心处理器将于下月正式出货，明年一月则会再推出桌上型45纳米Penryn双核心处理器，所以英特尔已经加快要求揖斐电（Ibiden）、新光电气（Shinko）、南亚电路板等覆基板供货商，开始量产X66新版覆晶基板。由于新基板将由八层提高到十四层，明年首季起30-40％的产能自然耗减效应就会开始发酵。
同时，绘图芯片双雄NVIDIA及超微本季起也开始进行微缩制程。NVIDIA在本季及下季将陆续推出D8E（即G90）、D8P（即G92）、D8M（即G98）等三款绘图芯片，除了全数转以65纳米投片外，因核心运算时脉拉高至600MHz，内存运算时脉提升至1400MHz以上，高阶的D8E及中阶的D8P均将采用八层覆晶基板。提供NVIDIA基板的全懋、景硕、南电等业者，将因基板层数增加二层，而出现约20％的产能自然耗减问题。
至于超微将于十一月中推出RV670芯片，明年首季则会陆续推出主攻中低阶市场RV635及RV620、主打高阶市场R680等三款新芯片。超微新世代芯片全数采用五五纳米，同样也有核心时脉及内存时脉大幅提升问题，所以覆晶基板层数也要增加至八层，且因超微新款高阶芯片R680可能采双核心架构，基板层数预估得采十层板，所以明年量产后导致自然耗减率将大于20％。
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