| 非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出带2KB非易失性F-RAM以8051为基础的微控制器(MCU)-VRS51L3072。Ramtron将F-RAM添加到其快速灵活的Versa 8501产品中，以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理系统，而这是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性变量的理想选择，包括从传感器与计量仪表到工业控制、仪表与医疗设备等应用。
Ramtron战略市场拓展经理David Lee称：“我们针对需要较低密度F-RAM进行实时数据采集和存储的客户，扩展了Versa 8051产品系列即推出带2KB F-RAM的MCU。VRS51L3072的高性能内核可控制外设及采集数据，而其板载数字信号处理 (DSP) 功能则会处理数据，然后存储在F-RAM内。这款产品与我们的8KB F-RAM MCU引脚兼容，对于那些需要少于8KB F-RAM的应用来说，是一种别具成本效益的替代方案。”
F-RAM替代Flash/EEPROM存储非易性数据存储
F-RAM能够消除Flash数据存储器相关的先头编码、有限的耐用性及Flash/EEPROM延长的写入周期，从而简化设计流程。与Flash不同，F-RAM字节无需首次擦除整个扇区即可进行改动，使用更为便捷。而且与Flash/EEPROM不同的是F-RAM能够无限次的读/写和快速写入数据。
VRS51L3072将2KB F-RAM与完全集成的高性能系统级芯片(System-on-chip)相结合，其特性包括40MIPS单周期8051内核、同时具有ISP和IAP编程功能的64KB Flash、4KB SRAM、数字信号处理(DSP)扩展功能及稳健的数字外围设备。VRS51L3072在整个工业温度范围内以3.3V电压工作，是多种先进应用的理想嵌入式数据采集解决方案。
VRS51L3072特点
- 2KB F-RAM：2048byte的真正非易失性RAM(无需电池/超级电容便可保存数据)映射到VRS51L3072的XRAM存储器上，具有简单访问、快速读写和几乎无限读写寿命的特点
- 40MHz、单周期8051处理器：这是市场上最快速的8位处理器之一，其先进的内核可提供高达40MIPS的吞吐量，并且与标准8051s指令兼容，以实现器件的顺畅转移
- 带32位桶式移位器(Barrel Shifter)的MULT/ACCU/DIV单元：此硬件计算引擎在执行DSP操作时(FIR过滤、传感器输出线性化、多字节算术运等)，其性能显著优于8位处理器。并能在一个周期中执行16位有符号的乘法和32位加法，及在5个周期中执行16位有符号的除法。桶式移位器实现了逻辑/算法转换操作
- 40MHz内部晶振：内部振荡器无需外部晶体振荡器，有助于降低系统成本
- USB-JTAG接口：用于快速的用户友好器件编程和实时的在线调试/仿真，无需昂贵的仿真器
- 带波特率(Baud Rate)发生器的双UART：这个通用异步接收器/发射器的最大工作速度为1.25Mbps。每个UART均带有独立的具有20位分辨率的波特率发生器
- 增强的SPI：串行外设接口的通信速度可以配置达20Mbps，发送数据长度可在1到32位间调节
- PWC：两个脉宽计数器模块，提供先进的定时器控制功能，可简化事件间隔时间测试
- PWM：包含8个脉宽调制器，具有高达16位的可调节分辨率。每个PWM都有自己独立的定时器，并可以作为通用定时器使用
其他支持外设包括一个I2C接口、3个16位通用定时器/计数器连3个定时器捕捉输入口、1个看门狗定时器和共享16个中断矢量的49个中断源。
供货
现可提供VRS51L3072的工程样品，并采用符合RoHS标准的64-QFN封装。 |
