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奇梦达与中芯国际扩大DRAM技术合作

文章来源：最新采集发布时间:2007/8/23 10:11:02 【关闭】

奇梦达与中芯国际签署协议，宣布扩大双方于标准内存芯片(DRAM)的技术合作。

根据该项协议，奇梦达将转移其80纳米DRAM沟槽技术予中芯国际位于北京的12寸芯片厂。中芯国际将运用此技术，为奇梦达制造针对各种计算机运算应用的专属DRAM组件。此外，合作协议并包括未来将奇梦达的75纳米技术转移给中芯国际的选择权。

奇梦达全球总裁兼CEO罗建华表示：“奇梦达透过与中芯国际之间的合作扩展，实践了致力与亚洲伙伴建立良好关系的承诺，也同时进一步提升我们的产能。”

中芯国际公司总裁兼CEO张汝京表示：“我们很高兴与奇梦达公司进一步拓展伙伴关系，并延伸至80纳米DRAM的制造生产。两家公司的合作将持续推动中芯国际在内存产品策略上技术的先进发展。”

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