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富士通召开电子元件业务战略说明会:07年度的任务是实现LSI业务扭亏为盈

文章来源:最新采集     发布时间:2007/4/9 8:22:23  【关闭】

富士通于4月4日在东京市召开了面向日本媒体的“电子元件业务战略”说明会。 到去年为止都是小野敏彦(现任副社长)到会说明, 今年是藤井滋(常务经营执行董事电子元件业务部部长兼电子元件业务本部部长)进行了说明。

  在上次说明会上,由于该公司大力发展的逻辑LSI业务业绩良好,发言大多清晰明朗。而此次,受到该业务低迷的影响,内容大多是对现状的分析,没有涉及新的战略。藤井表示,受到电子部件业务的带动,2006年度的电子元件业务预计最终将实现盈利。LSI业务则可能出现赤字。同时表示,“在2007年使LSI业务扭亏为盈是我目前的任务”。

  LSI业务之所以陷入低迷,原因是该公司的核心业务——使用130nm以前工艺的微控制器及普及价位的模拟ASSP需求大幅低于预期。藤井表示,仅保留少数大客户的做法适得其反。数字家电、手机领域都有多家客户在进行生产调整,致使核心业务的销售额停滞不前。为此,“富士通今后将再努力增加一些客户数量”(藤井)。

  但是,日本国内对普及价位设备用LSI的需求很难出现反弹。正如藤井所说,在此之前,开发此类LSI作为ASIC的日本设备厂商为数众多。但是最近,越来越多的日本厂商不仅不再开发ASIC,还开始从亚洲的EMS厂商和ODM厂商采购底板和系统。“如何使这些亚洲的EMS及ODM厂商购买芯片,是目前富士通面临的重大课题”。

  富士通在2007年1月举行的2006年度第3季度结算发布会上(参阅本站报道)宣布LSI业务的亏损高达100亿日元,并明确表示将重新对2007年度的半导体设备投资进行研究。此次说明会透露了小部分具体设备投资计划。比方说,该公司将根据需要,推迟对4月1日投产的三重工厂300mm晶圆二厂的65nm生产线进行设备强化。

  此次说明会还介绍了富士通将在45nm及32nm工艺上采取的措施。45nm目前处于研究开发阶段,量产准备完成的具体时间尚未确定。但采取的战略仍将与90nm和65nm工艺相同。藤井表示,富士通没有开发90nm和65nm的通用工艺,“而是开发了专门的超高速工艺和超节能工艺。开发的进展非常顺利。45nm还将延续这一做法”(藤井)。32nm方面,“目前正在较小的成本范围内进行研究”。

  设计方面,“一次设计完成”的数量得到了大幅度增加。继小野在上次说明会上介绍的“一次设计完成66枚芯片”之后,此次“一次设计完成的芯片达到了280枚”(藤井),数量大幅提升。此外,该公司还“利用11个月的时间开发了超过1000万栅门的摄像机用SoC,并与软件一次性完成”(藤井)。基于UML的“Cedar”所带来的设计品质提高,为一次设计的实现做出了贡献。


 
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