| 高性能模拟信号路径芯片产品供应商美国国家半导体公司(National Semiconductor Corporation)宣布推出三款全新的信号调节缓冲器，这是该公司LVDS芯片的最新型号。这几款缓冲器都设有传送预加重及接收均衡功能，而且即使以高达3.125Gbps的速度传送信号，也只有极少的抖动，功耗也比上一代的缓冲器少。
美国国家半导体的DS25BR100、DS25BR110及DS25BR120都是单通道的LVDS缓冲器，即使传输速度高达3.125Gbps，仍可确保信号完整无缺。这三款芯片具有业界最低的9ps抖动(典型值)，而且功率只有100mW，也属于业界最低的水平。美国国家半导体这几款LVDS缓冲器能以极高速度驱动FR-4底板及电缆上的信号，最适用于通信设备、储存以及成像系统。
这几款LVDS缓冲器可以提供7kV的静电释放保护与信号缓冲，适用于新一代的90nm、65nm现场可编程门阵列(FPGA)以及专用集成电路(ASIC)。
主要技术规格及特色
这几款3.125Gbps的DS25BR1xx芯片都采用8引脚的LLP封装，并设有全差分信号路径，可确保信号完整无缺，又可大大加强信号路径的抗噪声干扰能力。DS25BR100芯片设有两级的传送预加重及接收均衡功能，因此是中继器的理想之选。DS25BR120芯片设有四级的预加重，因此是最理想的高性能驱动器，而DS25BR110芯片则设有四级的均衡功能，最适宜用作高性能接收器。
LLP封装体积小巧，大小只有3mm×3mm，不但可以节省电路板板面空间，而且其中的流通式引脚图可以将芯片的内部抖动减至最少，使电路板的设计工作变得更为容易。这几款缓冲器都可支持LVDS、CML及LVPECL输入，而输出则全面符合LVDS标准。差分输入及输出端都内置100-Ohm的电阻，以便降低芯片输入及输出的回波损耗，减少元件数目，以及进一步将电路板板面缩至最小。 |
