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快捷半导体推出 200V/250V PowerTrench® MOSFET |
| 文章来源：最新采集
发布时间:2007/3/19 8:43:01 【关闭】 |
快捷半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的FDB2614 (200V) 和 FDB2710 (250V) N沟道MOSFET，这两款产品可为等离子显示器 (plasma display panel，PDP) 应用提供业界领先的系统效率和优化的占位空间。
这些采用快捷半导体专利PowerTrench® 制程技术的MOSFET，能够承受高速电压 (dv/dt) 和电流 (di/dt) 开关的瞬态回应，可提供最低的导通阻抗RDS(on) (FDB2614的典型值为22.9毫欧姆；FDB2710的典型值为36.3 毫欧姆)和极低的栅极电荷 (Qg)，具备同级产品最佳的特性值FOM (RDS(on)x Qg)，因而可以在PDP系统中获得更低的传导损耗和出色的开关性能。该器件极低的导通阻抗配合超小型的晶片尺寸，再加上200V 或 250V的击穿电压，让它可以封装在占位面积更小的D2PAK封装中，与具有类似RDS(on)的更大型TO-3P封装平面MOSFET比较，D2PAK (TO-263) 封装能够增加板卡空间；另外，还具有高dv/dt 和 di/dt处理能力。
FDB2614和FDB2710均为无铅器件，能达到或甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。现提供样品，交货期为收到订单後12周内 |
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