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行业新闻  

东芝第五座NAND闪存厂明年动工

文章来源:最新采集     发布时间:2006/5/18 13:53:14  【关闭】
彭博资讯最新报道,日本岩手县有可能成为东芝第五座NAND型闪存(Flash)新厂设厂地点。该厂预计将于2007年度动工,2008年中开始投产。报道指出,为加大市场需求急剧增长的NANDFlash产量,东芝将加快投资步伐,考虑着手第六座厂建厂事宜。不过,东芝不愿透露有关新厂的预定地、投资计划等相关信息。

  据悉,东芝位于日本四日市的第四座厂将于2006年夏季动工,其产能将在2008年度达到饱和,为此,东芝认为有必要在日本境内另觅1NANDFlash生产点。


  彭博报道指出,东芝第五座厂为12寸芯片生产线,初期投资额起码需要2,000亿~3,000亿日元(约18.227.2亿美元)。日前东芝表示将视市场需求动向增资,外界估计月产能达10万片的总投资金额需5,000亿~6,000亿日元。而以往东芝的NANDFlash事业相关投资皆与SanDisk对半出资,日后双方仍可能采取同样的合作模式。


  有关新厂的预定地,除岩手县外,石川县、大分县等日本其它县市也提出优惠措施,希望吸引东芝NANDFlash厂进驻,但是考虑到东芝旗下生产CMOS影像传感器等产品的岩手东芝Electronic厂也是设在岩手县,在地利之便、且该县也提供东芝税赋优惠措施等考量下,新厂设厂地点几乎非岩手县莫属。


  日前东芝发表至2008年度的中期营运计划指出,半导体事业将为拉动东芝集团成长的一大动力,预计到2008年度东芝营收将增至7.8兆日元,比2005年度增长18%。其中,含半导体在内的电子组件事业营收将达2.29兆日元,为2005年度的1.7倍。


  东芝先前指出,未来3年间东芝总资本支出将达2.04兆日元,其中,电子组件事业资本支出将占总集团资本支出的60%,约为1.25兆日元。
 
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