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东芝增产与三星决战2008年快闪记忆体市场 |
| 文章来源：最新采集
发布时间:2007/1/2 9:11:10 【关闭】 |
东芝继在第四季度利用三星NAND型MLC制程快闪记忆体产能投产不顺而在市场上四处活跃，全力为自己产品打造舆论优势後，日前再度放言将在後年将大量增加NAND型快闪记忆体产能，期待2008年的最终产能能够比今年年底增长2倍以上，此言一出引起业界一阵轰动，有业内人士评论称，大家都在扩产备战，未来NAND型快闪记忆体供给情况将不可避免面临过剩局面，产业利润很快会被稀释。
根据东芝半导体负责人室町正志表示，东芝期待在2008年年底产较今年年底增长2倍多，达到月产30万片12寸晶圆的目标。为了达成这个目标，东芝将投入大量资金全力扩建12寸晶圆厂产能，明年下半年已经铁定增加一座12寸晶圆厂。由於资源已经全力集中在上游扩产，因此东芝将下游的工艺流程交给其他厂商进行代工。
在大陆以1GB SD卡跌破100元为标性事件的快闪记忆体降价风劲吹下，由三星、东芝、现代以及IM FLASH（英代尔NAND型快闪记忆体合资厂）所引发的增产积累高库存的影响，已经日益明显。室町正志还表示，明年一月份东芝的65纳米工艺制程将会正式上路，生产16GB的NAND型快闪记忆体，到了明年7月将会竣工Fab4晶圆厂。届时东芝“弹药充足”，有希望在後年达成产能增长2.5倍的目标。
由於东芝大幅扩产，而三星的MLC制程依然在逐步理顺中，因此双方在产能上的差距在第四季度并无出现大幅拉大迹象。 |
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