“热协调”成IC封装环氧板重点

    开发IC封装载板所用的环氧基板材料，是当前该十分重要的课题，也是发展我国IC封装及微电子技术的迫切需要。伴随着IC封装向高频化、低消耗电能化方向发展，IC封装基板在低介电常数、低介质损失因子、高热传导率等重要性能上将得到提高。中国环氧树脂行业协会(www.epoxy-e.cn)专家介绍说，今后研究开发的一个重要的课题是基板的热连接技术-热散出等的有效的热协调整合。 　　
    为确保IC封装在设计上的自由度和新IC封装技术的开发，开展模型化试验和模拟化试验是必不可缺的。这2项工作对于掌握IC封装用环氧基板材料的特性要求，即对它的电气性能、发热与散热的性能、可靠性等要求的了解掌握是很有意义的。专家认为，实施过程中还应该与IC封装的设计业进一步沟通，以达成共识。将所开发的基板材料的性能，及时提供给整机电子产品的设计者，以使设计者能够建立准确、先进的数据基础。IC封装载板还需要解决与半导体芯片在热膨胀系数上不一致的问题，因为即使是适于微细电路制作的积层法多层环氧板，也存在着绝缘基板在热膨胀系数上普遍过大(一般热膨胀系数在60ppm/℃)的问题，而基板的热膨胀系数达到与半导体芯片接近的6ppm左右，确实对基板的制造技术是个挑战。
　　
    中国环氧树脂行业协会(www.epoxy-e.cn)专家进一步介绍说，为了适应高速化的发展，基板的介电常数应该达到2.0，介质损失因数能够接近0.001，为此超越传统的基板材料及传统制造工艺界限的新一代环氧印制电路板预测在2005年底会出现，而技术上的突破首先是在使用新的基板材料上的突破。专家还预测IC封装设计、制造技术今后的发展，对它所用的基板材料有更严格的要求，这主要表现在以下几方面：一是与无铅焊剂所对应的高Tg性，二是达到与特性阻抗所匹配的低介质损失因子性，三是与高速化所对应的低介电常数(ε应接近2)，四是低的翘曲度性(对基板表面的平坦性的改善)，五是低吸湿率性，六是低热膨胀系数(热膨胀系数接近6ppm)，七是IC封装载板的低成本性，八是低成本性的内藏元器件的基板材料，九是改善基本机械强度以提高耐热冲击性、适于温度由高到低变化循环下而不降低性能的基板材料，十是达到低成本性、适于高再流焊温度的绿色型基板材料要求。