| IC封测及基板厂法说会陆续登场，由于有飞信（3063）法说会后跳空跌停的前车之鑑，法人昨提前出脱第三季获利恐不如预期的封测股。一般预期，周三登场硅品（2325）第三季获利还能维持与第二季相当，但周四召开法说会的全懋（2446），毛利率也恐怕跌不少、及下周一日月光（2311）挑战毛利三成愿望可能落空，将对股价短线告成震盪。
资料来源：电子时报，2006/10/24
TRI观点：
一、DRAM产业迈入竞争家厂减少
由于DRAM产品具有大眾化商品特性，在供需易失调的状况下，使得其价格敏感性高、变化剧烈，再加上其为技术需求度高的资本密集性产业，使得从1990来至今DRAM市场规模呈现大幅波动；有鑑于此，DRAM製造厂商因竞争性高、经营压力沉重而进行多次的整合而形成五大阵营（如图一）：
1. 美国厂商：仅剩下Micron存活，不过由于Micron本身的8吋厂成本竞争力渐不符时代趋势，目前积极转型为Logic IC及NAND Flash供应商。
2. 日本厂商：至2006年仅餘下由Hitachi与NEC整合并和Mitsubishi合作的Elpida，其生产策略已倾向于利基型DRAM产品，而非大眾化产品；大眾化产品则藉由技术研发与生产的代工模式和台厂力晶技术转移拿取产能。
3. 欧洲厂商：经过大幅度整合后，仅剩下德国Infineon所分割出的Qimonda，早期透过与台厂茂德代工合作模式而快速扩大市场佔有率，近年来则捨茂德，近南亚科、华邦电及中芯以建立策略联盟。 4. 韩国厂商：Hynix，经由韩国政府的辅助撑过景气低迷的时期后，不仅藉由DRAM製程提升而崭露头角，更更因2005年转入NAND Flash产业而提升竞争力；而Samsung仍旧稳居DARM及NAND Flash龙头宝座，积极扩充产能与提升製程技术。
图一 全球DRAM厂的策略联盟
Source：拓墣產業研究所，2006/10
二、DRAM产业供给吃紧、需求浮现，台厂2007年积极扩充12吋厂
DRAM产业2006年下半年呈现供不应求，主因有三，在产能部份由于NAND Flash产能排挤效应下，DRAM供货有限；二为国际大厂製程技术由110nm辅正式跨入90nm，製程微缩70nm须待2008年才能较为普遍；最后，虽然2007年才有Vista换机潮，不过2006年PC产品因Intel及AMD调降处理器价格效应，使DRAM市场需求强劲，仍有10%左右的年成长率，搭载量亦成长至800MB的水准。而台厂在此波供不应求的趋势下，毛利率高达40%，主因自然为12吋产能比例高及90nm製程几达黄金良率；有舰于此，台厂纷纷积极筹资准备2007年扩建12吋厂，依此推论，2007、2008年最大受惠者自然仍为台厂（图二），如力晶的12吋厂中，Fab 12M在2007中有产能开出，Fab 12C及D则较慢须等到2009上半年；南亚科的Fab 2（12吋）2007年中即会开出产能，其代工厂华亚科的Memories - Fab 2，为南亚和Infineon合资成立，各取一半产能，2007中初始投片量达30,000 wpm，2009达最大产能70,000 wpm，一开始以90 nm生产，3Q07以70-nm生产。
Source：公司資料；拓墣產業研究所預估，2006/10
三、记忆体景气大好，台湾封测厂营运成长
DRAM、NAND Flash行情看俏，再加上台湾上游製程厂的产业群聚效应使得2006年台厂后段封测厂受惠不浅，分析其主因为在需求大举增加的前提下，测试机台却受限于厂商不愿负担大额机台成本及淘汰风险而仅有小幅度增加。后段测试产能的供不应求使得台厂力成、泰林、南茂、华东等产能在第三季持续满载，预期此产业趋势在第四季将会延续到2007年整年。 |
