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台积电45nm有望07年开始量产 |
| 文章来源：最新采集
发布时间:2006/9/25 8:53:10 【关闭】 |
台积电的研究暨发展副总经理孙元成宣布45nm量产将从2007年第3季度开始。最初将采用限定式生产方式，2008年下半年有可能开始正式量产。
在45nm工艺方面，台积电打算在大致相同的时期开始量产逻辑、混合信号、混载DRAM。孙元成对更先进工艺的开发也表达了自己的看法：“45nm之后的32nm、22nm也能以与以前相同的速度，即2年1代的速度实现微细化”。
台积电日本分公司董事长马场久雄披露了开拓日本市场的基本方针。第一项方针是为日本半导体产业的复兴做出贡献。1988年全球半导体市场上日本企业所占比率为52％，而2005年则降至21％。“如果把日本IDM（集成元件制造商）的产品开发实力与台积电的生产能力结合在一起，日本半导体产业的复兴是有可能的”。
第二项方针是对日本Fabless半导体厂商的支援。据马场久雄透露，在全球无工厂半导体厂商的整体销售额中日本企业所占比率仅为1％。虽然上升幅度很小，但台积电日本分公司的销售额中无工厂半导体业务所占比率正在上升。2006年第1季度已达到3％左右。 |
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