目前，氮化镓(GaN)正在成为半导体RF功率器件的主流工艺技术。除了一些军事应用和微波通讯以外，对于氮化镓的多数兴趣都集中在移动无线基础设施和WiMAX上面。但据市场调研公司ABI Research最近发表的一份报告，这个价格敏感型领域的经济情况可能意味着这并非GaN的合适领域。
研究主管Lance Wilson指出：“当与传统放大器电路中的Si LDMOS进行比较时，除了新颖性以外，器件成本对于GaN非常不利。随着时间的推移，GaN的价格形势将逐步改善，并有助于减轻这个问题。但是，ABI Research认为在移动基础设施中单个GaN器件的价格将永远达不到Si LDMOS的水平。这绝对是成本较高的工艺技术。”
一些发展可能会缩小二者之间的价格差距，而且性能必须考虑在内。Wilson表示：“在移动无线基础设施领域，这两项技术在价格与性能方面大致相同。GaN将在未来几年在面向移动无线基础设施的RF功率放大器市场占有一部分市场，但不是全部。”
ABI Research认为，市场中的GaN厂商过多，至少有一半将会出局。但GaN的未来也不是一团糟糕。在高于4GHz的频率范围，GaN可能主宰全部高功率市场。 |
