松下电器与瑞萨科技今天宣布，两家公司已开始对45nm SoC(系统级芯片)半导体制造技术进行全面整合测试。该工艺技术是业界第一次利用1.0以上的数值孔径(NA)和ArF(氩氟化物)浸入式微影系统进行的全面整合。
松下和三菱早在1998年就开始了工艺开发的合作。在三菱和日立合并了半导体业务并组成瑞萨之后，瑞萨就取代了三菱，并在此后与松下联合研发，开发出了130纳米，90纳米和65纳米工艺技术。
双方在开发45纳米工艺上的合作从去年10月开始，当时，双方总裁都建议要把合作扩展到45纳米工艺开发。但是双方并没有就此事发表正式声明，因为当时一个由瑞萨、日立和东芝合资建厂的项目正在筹划中，而这个项目后来以失败而告终。
该研发小组打算将其它新技术结合到其45纳米工艺技术中，例如应变硅和ELK多层接线模块，这是一种利用相对电容率较低的层间绝缘薄膜的铜接线技术。
预期目前的联合开发项目将在2007年6月完成，于2008财年开始投入量产。新的45nm工艺将用来制造松下和瑞萨用于先进移动产品和网络消费类电子产品的系统级芯片。除了先进级的ArF浸入式光刻外，两家公司还计划在开发项目中采用其他新技术，包括引入应力的高迁移率晶体管3和ELK(K=2.4)多层布线模块。
这个新项目是双方从2005年10月开始合作的第五阶段的一部分。给人留下深刻印象的记录包括，2001年完成的130nm DRAM融合工艺、2002年的90nm SoC工艺，以及2004年的90nm DRAM融合工艺和2005年的65nm SoC工艺结点开发项目。
东芝、索尼和NEC电子也在日本合组了另一个研发小组来开发45纳米工艺技术。
术语解释：
全面整合：一种涉及所有晶圆工艺生产技术的全面整合，而不是限定于个别的组成模块。
ArF浸入式微影系统：一种在投影镜头和晶圆之间间隙中充满液体以增加分辨率的技术，它可以增加有效透镜直径。
引入应力的高迁移率晶体管：一种在晶体管中引入局部应力来提高电流驱动能力的技术。
ELK多层布线模块：一种采用低介电常数的层间绝缘薄膜的多层铜布线技术。 |
