| 推荐新闻 |
|
 |
|
|
|
| 视频信息 |
|
|
|
|
|
|
 |
行业新闻 |
|
英特尔美光抢闸推50纳米闪存 挑战三星 |
| 文章来源：最新采集
发布时间:2006/7/30 8:03:10 【关闭】 |
三星在NAND型闪存市场已经占有超过50％份额，并且一般会最先引入最新的闪存制造工艺，不过这种情形最近受到Intel和镁光的合资闪存公司IM Technologies的挑战，后者最先宣布推出50纳米芯片的样片。
这是IM Technologies宣布合资后的首个大事件。根据星期二公布的消息，该芯片容量4GB，目前只能小量供货。50纳米产品的批量生产将在2007年开始。发言人Daniel Francisco拒绝评论到时闪存的产能。
三星上星期宣布它已经开始生产8Gb的60纳米芯片，并且将两个4GB的封装堆叠成8GB的闪存芯片，每个4GB的封装包含8片垂直堆叠的8Gb芯片。
IM表示要扭转三星的统治地位，镁光的内存副总裁Brian Shirley表示：“镁光2004年使用90纳米制程进入NAND型业务。在短短数年内加之和Intel的合作，我们现在对使用顶尖制造技术推出领先的产品成竹在胸。”镁光属于NAND型闪存集团，目前市场份额占4％，排在第四位，而Intel则是新手。
Intel是全球第二大NOR型闪存制造商，不过在NAND型闪存开发上没有任何经验。IM生产的NAND型闪存主要别镁光和Intel的产品采用，包括使用Robson闪存缓存技术的主板。不过，IM还有一份“长期”合约，就是供应苹果公司iPod播放器的闪存。Intel透露，苹果公司预付了5亿美元。Intel和镁光分别为合资公司投入了约12亿美元。
|
|
| |
| 上一篇：
世界首款LTE手机芯片问世 |
| 下一篇：
PCB设备厂志圣上半年报表出炉 |
|
|
|
