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ARM下一代DDR存储解决方案提高晶片性能 |
| 文章来源：最新采集
发布时间:2006/7/28 8:38:21 【关闭】 |
ARM公司宣布扩展了其Artisan物理IP系列产品中的Velocity DDR存储介面产品，以支援众多特定应用对SDRAM的要求。扩展後的ARM Velocity DDR产品和DDR、DDR2、Mobile DDR、GDDR3 SDRAM的JEDEC标准相相容，并支援领先代工厂的130纳米、110纳米、90纳米和65纳米的标准CMOS工艺。ARM Velocity系列产品针对资料传输速度最高达800Mbps的主流个人电脑和伺服器中的应用。Velocity Mobile DDR解决方案针对低弁 野 AGDDR3解决方案则针对资料传输速度最高达1600 Mbps的图形存储介面。Velocity DDR解决方案相对於以前的产品具有更小的体积和更低的抖动幅度，这将继续帮助用户优化其SoC设计的弁 M尺寸，同时缩短产品上市时间。
Azul Systems晶片工程部高级总监Paul Koike表示∶“ARM DDR产品帮助我们降低了复杂IP开发的风险；由於我们所有的介面和时钟发生IP都是ARM开发的，所以ARM DDR产品在Azul全部的SoC设计中都起到了至关重要的作用。我们一直努力降低设计的尺寸，我们相信ARM为90纳米互联I/O提供了最全面的产品。”
记忆体的复杂性和对更快的速度的需求正在要求一种不同於以往纯数位方式的解决手段。目前，对於混合信号解决方案的需求越来越大，以解决类似信号和电压完整性以及阻抗不连续性等问题。ARM经过晶片验证的 扩展的Velocity DDR解决方案为可编程终端增加了on-die termination以提高信号完整性，并拥有先进的动态校准和更高的DDR2输入/输出阻抗精度，确保更精确的阻抗匹配。除了这些对於先前的DDR产品的改进之外，Velocity DDR解决方案还能够方便的整合，使得设计师可以在每次设计中优化弁 B尺寸和抖动幅度，降低整体系统成本。
经过扩展的ARM Velocity DDR解决方案也包括了一个全面的、按速度细分的产品类别，具有类比计时的弁遄A例如用於资料眼（data eye）中央时钟和DDR计时的特定应用DLL。此外，特定应用的 PLL也被包含在内，以产生精确的DDR系统时钟信号。ARM同时也提供一系列支援SDRAM、DDR和Mobile DDR的PrimeCell AMBA 3 AXI™ 和 AMBA 2 AHB™动态存储控制器，对於DDR2的支援也在研发之中。ARM目前可以为各种广泛的应用提供全面的、高性能的存储控制器解决方案。
ARM Velocity DDR存储介面现已能够以领先代工厂的130纳米、110纳米、90纳米和65纳米标准CMOS工艺提供。ARM PrimeCell AXI静态存储控制器系列和ARM PrimeCell AHB存储控制器系列也可通过授权获得。 |
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