飞思卡尔半导体(Freescale)目前已经批量生产和提供其首款商用磁阻随机存取存储器(MRAM)设备。据介绍，该公司4兆位(Mbit)MRAM是一款快速的非易失性存储器产品，具有极强的耐用性——结合了其它任何单个半导体存储器都不具备的多种特性。该设备基于飞思卡尔的超过100项专利所保护的技术，包括跳变位（Toggle-bit）切换。
据称，这是首款MRAM商用芯片。虽然离大规模采用还有不少障碍，但iSuppli公司相信此款芯片的发布在很大程度上将推进MRAM技术的发展。
Freescale表示，其新款4Mb密度MRAM器件结合了目前多种存储器技术的优点。MRAM使用磁极化来存储数据，磁阻的改变代表着二进制状态的变化，而不是指定的电荷水平。这与其他主流存储技术不同，比如SRAM、DRAM和闪存。
同时，Freescale宣称其新器件平衡了读写速度，均达到类似于DRAM的35ns水平。该器件也有类似DRAM和闪存的单元密度，但是不会出现DRAM的渗漏问题。这款MRAM器件也可以像DRAM或SRAM一样具有持久性，综合了闪存的非易失性特点。
MRAM技术已经出现几年时间，还未进入主流商业应用存在不同的原因。但是两个主要原因是在于——MRAM按每比特计算的成本不具备竞争力，且难以集成到标准CMOS工艺过程中。
因此，Freescale采用了一个创新的MRAM单元结构来解决成本问题，加上称为“触发
