| 氮化镓上碳化硅高电子迁移率晶体管（HEMT器件）和单片微波集成电路（MMIC）的全球供应商，Wolfspped已经推出了两个塑料封装50V / 60W的GaN HEMT器件。它们提供功率和带宽的低成本封装平台的内在的GaN值。
提供的缩影（4.5毫米x6.5毫米塑料SMT封装，这些新器件适合LTE，小蜂窝基站收发台雷达，公共安全无线电和其他通信应用。
该CGHV27060MP是一个50V / 60W宽带氮化镓HEMT线性和脉冲应用电路和没有内部的输入或输出匹配，这使得它能够支持广泛的频率范围内通过2.7GHz的跨越UHF的。
经测试为2.5GHz，新的GaN HEMT适合于LTE微基站放大器，10-15W平均功率和高效率的拓扑结构，如多尔蒂或A类，B和F放大器。
使用S波段雷达电路中，50V器件提供16.5分贝增益，70％漏极效率，和80W的输出功率在脉冲PSAT具有100μs的脉冲宽度和10％的占空比。
在14W PAVE，该器件可提供18.5分贝收益，35％的效率。这种微型塑料封装晶体管也能够连续波（CW）的输出功率65W的高效率放大器设计中使用时。
内部预匹配输入，以及无与伦比的输出，在CGHV35060MP是一个50V / 60W宽带的GaN HEMT设计用于从2.7GHz的到3.5GHz的。
测试条件的3.3GHz，微型装置展品14.5分贝增益67％漏极效率，并为S波段的应用，包括天气，空中交通管制，船舶，港口监控优化，以及搜索和救援雷达应用。
此外，这些新的HEMT是与工业标准的数字预失真校正方法兼容，以提高放大器的效率，并且它们的微型（4.5毫米x6.5毫米），塑料包覆成型包装使得它们对于大批量应用经济的解决方案。
Mouser的与Digi-Key询问正在接受订单，和产品将提供给船舶十二月。 |
