两个RF电压可变衰减器

两款器件均采用小型3.0×3.0毫米，16针TQFN封装。他们都声称提供有竞争力的解决方案一半的插入损耗，和IP3性能的1000倍更好地30分贝比与之竞争的砷化镓（GaAs设备。据该公司介绍，该硅技术提供了改进的RF性能优势以及更强大的ESD保护，更好的潮湿敏感度等级，改善热性能，更低的功耗，以及硅技术的成熟可靠性，衰减器表现出两端的电压控制范围呈线性-dB的衰减特性，而低插入损耗降低射频链路路径损耗。

它们匹配流行脚印和适合于基站（2G，3G和4G），微波的基础设施，公共安全，便携式无线通信/数据设备，测试/ ATE设备，军事系统，JTRS无线电，和HF，VHF和UHF无线电。

输入IP3高达65dBm，与33分贝/ V和最小的回波损耗的最大衰??减斜率高达6000MHz，12.5分贝。

在F2255支持的频率范围向下到1MHz，而这两种设备具有双向RF端口，支持任何3.0或5V的一个正电源电压，并具有-40至105℃的工作温度范围。