中芯国际集成电路制造有限公司(中芯国际，纽约证交所股票代码：SMI香港联交所代码：981中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业宣布，其0.13微米低功耗(LL嵌入式闪存(eFlash工艺已正式进入量产。该技术是中芯国际NVM非挥发性记忆体平台的延续，为客户提供了一个高性能、低功耗和低成本的差别化解决方案。
中芯国际的0.13微米嵌入式闪存技术平台可为客户提供以下优势：
强耐度：具备高达300K周期的优秀的循环擦写能力，达到业界规范的三倍;极具成本效益：制程创新，使用较少的工艺方法;低漏电工艺适合极低功耗的应用并提升性能及可靠性：后段采用铜制程(Cu-BEoL适合需要高电流密度的应用。
中芯国际的0.13微米低功耗嵌入式闪存技术拥有全面的IP包括如PLLADCLDOUSB等，同时融合了该技术低功耗、高性能和高可靠性的特点，可适用于具有低功耗需求的广泛的微控制器(MCU应用包括移动设备、智能卡等。此外，中芯国际预期将提供RF汽车电子、物联网(IoT方面的应用。
为客户对我0.13微米差别化的嵌入式闪存技术的快速接受和积极反响感到鼓舞。中芯国际市场营销和销售执行副总裁麦克瑞库表示，很高兴地看到0.13微米嵌入式闪存技术在触摸控制器(TCIC,TouchControlIC上的应用已进入量产。根据IHS-iSuppli市场调查显示，触摸控制器的全球需求量将从 2012年起实现21%年复合增长率，2017年将达到约 27亿个单元。 |
