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推动高能效创新的安森美半导体(ONSemiconductor美国纳斯达克上市代号：ONNN继续扩充高性能绝缘门双极晶体管(IGBT产品阵容，应用于消费类电器及工业应用的高性能电源转换(HPPC安森美半导体新的第二代场截止型(FSIIIGBT器件改善开关特性，降低损耗达30%因而提供更高能效，并转化为更低的外壳温度，为设计人员增强系统总体性能及可靠性的选择。这些新器件针对目标应用进行了优化，相比现有器件能降低外壳温度达20%
安森美半导体功率分立产品副总裁兼总经理PaulLeonard说：电器的使用数量继续增多，使不断增长的工业及消费市场的总能耗稳步上升。安森美半导体继续开发薄晶圆工艺及植入技术，能够显著提升IGBT性能，而这对配合更多高能效方案的需求极为重要。
公司推出的FSIIIGBT首组产品是NGTBxxN120IHRWG和NGTBxxN135IHRW这些器件优化了开关性能并降低了导电损耗，用于采用15千赫兹(kHz30kHz中等频率工作的电磁加热和软开关应用。器件在大电流时提供极佳的强固性和优异的导通状态特性，根据系统要求经过优化，以提供更高能效及降低系统损耗。这些高速IGBT提供领先业界的系统级性能，用于电磁加热产品，如电火锅、电饭煲及微波炉等电器。这系列器件提供1,200伏(V及1,350V平台版本，额定电流涵盖20安培(A30A及40A
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安森美半导体的FSIIIGBT技术进一步扩充，新产品还包括NGTBxxN120FL2WG和NGTBxxN135FL2WG系列器件，专门设计用于太阳能逆变器、不间断电源系统(UPS及变频焊机应用。这些器件提供增强的热性能，结点工作温度范围达-55+175°C并将额定电流能力提升至采用TO-247封装条件下的100A
安森美半导体提供高品质及可靠IGBT实力悠久，其中通过汽车行业AEC-Q认证的IGBT量产已经超越十年。2011年，公司开始开发新的高压/大电流IGBT用于不时增长、继续需求高能效方案的工业及消费类市场。安森美半导体采用专有沟槽场截止型IGBT技术的首个完整产品系列于2012年发布，媲美互相竞争的技术。此次发布的最新FSIIIGBT技术使安森美半导体居市场领先地位。 |
