2012年半导体国际研讨会开展的非常胜利，虽说万马齐喑，但不难看出一点：未来CMOS发展将取决于智能手机，换句话说，也就是智能手机将会成为CMOS未来发展的最大应用市场。
最近召开的2012年半导体国际研讨会上，该会议围绕CMOS技术的未来开展。会议的重点是展现英特尔首个新技术—22nm3D三栅极晶体管，其中一个座谈小组还就FinFET设备技术进行了研究。令人惊讶的大家却有着截然不同的观点，并且这些观点都可以说是有理有据的历来没有在该行业内见过大家的观点竟有如此大的差别。然而,也有可能是没有哪个专家的观点是对的或是错的显而易见，每个专家都是用不同的价值规范”来衡量的把这个“价值规范”定义为衡量芯片的指标(如：本钱、功率和性能)以及芯片设计指标(如：设计本钱、复杂性和投放到市场的时间)
由于每个公司都是针对不同的市场的所以工程师们看待问题的角度也就不一样。当然，逻辑芯片最大的2个市场是移动(智能手机和平板电脑)和电脑设备。这些市场掌控着技术发展方向，并是胜负的仲裁者。即使在一个既定的市场，就拿平板电脑来说，不同的公司都会使用不同的衡量规范(有的认为大的平板电脑市场价为199美元，其余的则会认为是从499美元至999美元不等)作为一个具有five-tablet家庭背景的教育工作者，个人比拟同意前者的看法。
对于那些未能参与研讨会的人，为他总结了自己对本次会议的10大见解。
1.Intel22nm3D三栅极晶体管是令人印象深刻的工程。一个300mm晶片上将近有1万亿个鳍状结构片（大约相当于在每一个CPU上就有30亿个鳍状结构片；每一个鳍状结构片的最大宽度也只有6-9nm大约只占12-18硅晶格距。这将是有史以来最小的横向特性图案，就算是对高容量CMOS制造业而言也是一样的对22nmCPU而言，几乎每片鳍状结构都是很重要的因为如果CPU上任何一个鳍状结构受到损坏，那这个CPU就卖不出去了仍相信，拥有三栅极技术能使得Intel未来5年中领先于同行。
2.Intel目前在三栅极CPU方面有所发展，虽然说产量不高，但是这种情况随着三栅极技术的呈现会有所改善的IC行业，性能历来就比本钱和功耗更重要。然而，生产商和智能手机芯片设计工程师很快就指出：毫无疑问，移动SOC中使用了硅技术，并且成为行业领先产品。对于制造英特尔智能手机处置器芯片（如Medfield和CedarTrail而言，产品的本钱、功耗和性能方面上，用28nm生产远比用32nm要好得多。生产时，也会有一套丰富的28nmIP核设计过程，比方基带的集成以及在单个28nm集成电路SOC上的应用处置器。能感受到制造公司和设计公司在回应Intel大胆声明（无生产线模式正在逐步解体”时就曾正式指出了这点。
3.会议之前，逆向工程公司Chipwork曾报道说Intel鳍状结构外形是一个不规则的四边形形状，并且那一点无论是会前、会中或会后都是一个关键的主题。专家们都一致认为，理想的FinFET应该有一个矩形翅片，并且产量问题可能会导致Intel技术周期结尾时改变鳍状结构的形状（由于日程布置的疏忽，所以导致未能改变）令人惊讶的IntelpaperQ/A 中，当要ChriAuth对鳍状结构加以介绍时，给大家的回答是性能”降低外部电阻）最开始，人们对其模型的假设是确定一个与清除的间隔的散热片材料相关的产量问题。普遍的共识是finprofil尽管对Intel来说是好事）对手机部件而言将有太多变化。这些手机部件发展愉快速，包装也不完整（通常是专门为在最坏的情况下设计的98%产量都是这样的大多数人认为，如果做到14nm,那么Intel就能做成一个矩形鳍状外形了
4.对一般散装不规则形状的FinFET具有单个n和pFET工作功能，并且可以通过整晕掺杂设计点来调整阈值电压）进行了讨论。达成了对Intel某些方面的一致认识（这些方面包括：设计动身点、对其工作和应用到市场时总结的经验教训进行的讨论）主要包括以下几点：
a．由于它会导致关断泄漏，所以对在底部形成的非完全耗尽晶体管、鳍状结构较厚的局部有着高度关注。Intel只报道低于1nA /um泄漏情况。1nA /um这对中央处置器来说是一个适当的目标，但智能手机设备需要在10pA /um范围内为总处于首/尾功的率门控装置降低约100倍的泄漏。
b.另外一种降低关断泄漏的方法是添加栅极功函数。然而，想要在3D结构上添加四个或更多功函数并不是一件简单的事（仅是双阈值电压类型的话，就只要2n和2p这对移动市场而言，件非常本钱高并且很复杂的事。
c.设计方面的话，会议集中讨论了bulk-onliFinFET方法。这种方法很有可能需要对系统进行再分配。一般而言，电源管理单元、射频甚至模拟电路都需要关断芯片。对低本钱移动解决方案而言，单芯片SOC几乎是必需的因此FinFET应该想中国3GSOC市场一样在大范围内不具备足够的吸引力。
5.仪器专家对FinFET器件的看法有好有坏：
a.好”理想的FinFET器件具有卓越的DIBL和顶端设备的摆幅（当顶级设备的阀值低，并且其电流由顶部的鳍状结构决定时，Intel公布的数字是令人印象深刻的;
b.坏”真正的FinFET元件子鳍泄漏和高翅片高度控制晶体管的变化，掺杂鳍，鳍的形状和所有的3-D工艺方法的设备和工艺工程师普遍认同，理想的FinFET元件是伟大的但生产FinFET元件失去了一些平面器件相比的优势，当然这取决于如何实施。
真正的FinFET体积上受到sub-fin泄漏和高晶体管变异（由鳍状结构高度控制、鳍状结构参杂度、鳍状结构形状和所有的3D流程方法导致的影响。设备和工艺工程师普遍同意,理想FinFET非常棒,但是实际生产中的FinFET相比平面设备而言却失去绝对优势”,这取决于如何实现。
6.此次会议上，看到许多关于FinFET器件的研究论文。移动手机领域里的专家们明确表示，本钱将比市场所能承受的要高。这些技术看起来挺有趣的比方说为$200CPU配上 $1,000服务器芯片，但“高端手机芯片只卖20美元”或者是说“普通的手机芯片到销售价在$1$5之间。
7.20nm和14nm微影成本也是一个热门话题。行业普遍认为，20nm双重图案的价值是可观的并且以50nm金属间距和70nm栅极间距而言，14nm三重图案在技术上是可行的但在手机市场中，并不划算。业界将转向昂贵的间距缩放和专注于制造更好的芯片，比方像20-28nm级别的
8.随着第三代iPad呈现，应该更重视GPU功耗、性能和成本指标。苹果的A5X芯片的峰值功率大约为5W而其中大约80％左右是为GPU供电的与CPU相比，GPU模片区面积也更大一些。毫无疑问，与平板电脑市场竞争时，A5X将是其“新标杆”
9.加州大学伯克利分校的Tsu-JaKingLiu教授论述了从平面CMOS发展到endoftheCMOS经历了一个怎样的历程。今年6月，IBM还发表了一篇关于“将平面延长至14nm文章。跟王教授一样，其他专家也认为，平面的CMOS也终按将endoftheCMOS模式发展。FinFET肯定有更好的静电分析，但用高制程变化和大量的设计限制来移植和设计，依旧是一个重大问题，特别是对手机市场而言。就像硅技术一样，SOC内部进行IP设计以及如何利用新技术使得IP生态系统的设计能快速设置都是很重要的这点在今年早些时候发表的怎样在芯片之战中大获全胜？一文中也有提到
2012年的热门产品中，可以看到相关的2个例证：新一代iPad不使用旧的应变硅或高电介质金属门；由于Snapdragon以超低价和更少硅技术特性与LTE结合，使得高通在新的三星GalaxiS3上赢得为通信SoC设计的机会。
10.会议结束时，一致认为：未来很长一段时间内，想要逾越这个伟大的会议是非常困难的
电子发烧友网编辑论：
一直以来，CMOS芯片因其制造本钱较低、效率较高以及数据传输速度较快等优势，越来越多的产品及应用领域得到更广泛的应用，市场更青睐于采用CMOS传感器。就目前来看，智能手机市场仍然是未来CMOS传感器的最大应用市场领域，去年份额便占据了总体CMOS出货量的79%之多。另外笔记本电脑普遍装备摄像头，电视会议将成为CMOS第二大应用市场。除此之外，CMOS传感器在安防监控领域、汽车系统等两个增长型市场中的应用也不断上升。 |
