电源设计人员需要有助于缩减其应用电源的外形尺寸且不影响功率密度的高能效解决方案。飞兆半导体公司(FairchildSemiconductorFDMC801030VPower33MOSFET以3.3mmx3.3mmPQFN外形尺寸提供业界最佳功率密度和低传导损耗，能源效率规范和最终系统要求的推动之下。能够满足这些需求。
非常适合要求在小空间内实现最低RDSON应用，FDMC8010采用飞兆半导体的PowerTrench技术。包括：高性能DC-DC降压转换器、负载点(POL高效负载开关和低端切换、稳压器模块(VRM以及ORing功能。设计人员使用FDMC8010器件，能够将封装尺寸从5mmx6mm减小为3.3mmx3.3mm节省66%MOSFET占位面积。
Power33MOSFET最大RDSON仅为1.3mΩ 与具有同等占位面积的竞争解决方案相比减小了25%此外，隔离型1/16thbrickDC-DC转换器应用中。该器件减小了传导损耗，从而提高散热效率多达25%
特性和优势
具有业界最佳RDSON最大仅为1.3mΩ a.高性能技术。
PQFN节省线路板空间 b.3.3mmx3.3mm行业规范外形尺寸。
能够实现比竞争解决方案更高的功率密度和更高的效率。c.FDMC8010具有更低的传导损耗。
d.无铅RoHS封装
作为齐全的PowerTrenchMOSFET产品系列的一部分，新增PowerTrench器件丰富了飞兆半导体中等电压范围MOSFET产品阵容。能够满足现今电子产品的电气和散热性能要求，实现更高能效水平方面发挥重要的作用。
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