尤其是混合动力汽车(HEV和电动汽车(EV领域。为了协助设计人员应对这些挑战，汽车应用工程师面临提供具有更高效率、更大驱动电流和更强抗噪能力的逆变器的设计挑战。全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor开发出大电流高侧栅极驱动器IC产品FA N7171和大电流高侧与低侧栅极驱动器IC产品FA N7190
适合电动与混合动力DC-DC电源和功率逆变器、柴油和汽油喷射器及阀门，FA N7171和FA N7190飞兆半导体汽车高压ICHVIC栅极驱动器系列的成员。以及MOSFET和IGBT高侧驱动器应用。
严苛的汽车应用中提供更高效率、更大驱动电流和更高稳健性。FA N7171和FA N7190HVIC器件提供了集成式逆变器解决方案。
提高功效。FA N7171一款能够驱动工作电压高达+500V高速MOSFET和IGBT单片式高侧栅极驱动器IC而FA N7190则能够驱动工作电压高达+600VMOSFET和IGBT更大的驱动能力能够实现功率更高的系统。
带有设计用于大脉冲电流驱动能力和最小交叉传导的全部NMOS晶体管。FA N7171和FA N7190具有更佳的抗噪能力，两款器件均具有缓冲输出级。15VVBS下负电压摆幅(VS低至-9.8V实现更高的设计可靠性，并提高了恶劣噪声环境中的耐久性。
具有更多功能的高集成度器件，FA N7171和FA N7190满足汽车AECQ100Class1规范。能够减少元件数目并降低资料清单本钱，缩小线路板空间并有潜力缩短设计周期。
高侧驱动器可在dv/dt噪声环境下稳定工作。先进的电平转换电路使得高侧栅极驱动器在VBS=15V下达到VS=-9.8V典型值)欠压锁定(UVLO电路则防止在VBS低于特定阈值电压时出现故障。采用飞兆半导体的高压工艺和共模噪声消除技术。
两款器件采用8引脚小外形封装(SOP并且满足RoHS规范。
结合广泛的测试、模拟及高质量制造能力，飞兆半导体公司凭借功率半导体器件和模块封装方面的专有技术。能够提供在最严苛的汽车环境中(包括引擎盖下应用)可靠工作的产品。与依靠晶圆厂和其它第三方制造资源的其它供应商不同，飞兆半导体在全球各地拥有自身的设计、制造、组装和测试设施，拥有充沛的条件，能够满足汽车制造商对质量、可靠性和可用性的需求。 |
