若他不做出相应调整，那么每月10,对晶圆供应商来说。000片晶圆，高达10亿美元的本钱，非常惊人的
即每两年微缩晶片特征尺寸的周期已然结束，半导体产业正在面临一项挑战。正在跨入一个情势高度不明的阶段。业界目前面临的几项关键挑战都显示，晶片微缩的路程愈来愈艰困了
45/40nm晶圆占代工厂营收比重仅10%而2012年第四季，1.晶圆代工厂量产32/28nm晶圆的周期延长到三年左右。2009年。32/28nm占代工厂营收比重也是10%
22nmFinFET才宣布将迈入量产。FinFET一项极具挑战性的技术。英特尔在这方面的研究相当卓越，2.32nm量产2年多以后。但仍需克服许多挑战，才干支援新一代SoC所需的多阈值电压和多VDD位准。
下一代20nm平面CMOS将面临更多的容差控制挑战。这可能带来重大影响─20nm每闸极本钱将高于28nm3.与28nm制程相比。
图1每闸极成本。
因此，由于每闸极本钱很可能会升高。迈向下一代制程时要做的工作实际上还有很多，这会再延长设计完成的时间。另外，14nm世代的每闸极本钱也可能比28nm来得高。
但在制造上会面临更多挑战，4.20nm以后的下一步是什么？半导体产业正致力于开发14nmFinFET确实能开发出来。包括阶梯覆盖(stepcoveragFIN尺寸的控制、多个层上使用双重图形(doublepattern甚至需要使用四重图形等。
EUV技术显然不会在2014~2015年就绪，此外。所以业界仍得继续使用193nm工具。而最近检视28nm生产线的问题也显示，许多技术正在迫近极限。
另一个关键问题是FinFET能否实现晶片上的多VDD位准和多阈值电压。
必需开发新的元件库、IP必需过渡到FinFET架构、必需测试晶片的运作，还要确保能够量产。14nm世代，复杂的晶片将花费2亿~5亿美元的设计本钱，即使是返工也必须花费2,业界要做的工作很多。000万~5,000万美元。更不必提设计失败的本钱了
看来都不会有英特尔以外的公司量产14nmFinFET要达到量产阶段，更重要的直到2016或2017年。就必需确保能达到比前几代技术更低的功耗，以及更更的每闸极成本。
还会面临全新的挑战(EUV450mm碳奈米管等)半导体产业必需了解艰巨的挑战会不时迎面而来，而在14nm以后。而且朝更小特征尺寸转移的时间也会不断延长。
包括模具供应商、光罩厂商、代工厂、IC设计公司和电子产品制造商都必需进行调整。这代表整个供应链。
苹果(Apple这次推出新一代iPad时所做的最主要调整，从硬体角度来看。只有更高解析度的显示器罢了 |
