ARM坚持致力于与合作伙伴共同努力，A RM中国区总裁吴雄昂说：中国。发明一个推动创新与成长的生态系统。这个与灿芯半导体、中芯国际共同发明的重要里程碑，证明了通过我合作，可以许诺并最终实现以高性能、低功耗的产品，来更快地满足市场不同领域的需求。
采用中芯国际40纳米低漏电工艺的ARM?Cortex?-A 9MPCore?双核测试芯片首次胜利流片。国际领先的IC设计公司及一站式服务供应商—灿芯半导体（上海）有限公司与中芯国际集成电路制造有限公司及ARM日前联合宣布。
采用了中芯国际的40纳米低漏电工艺。处置器使用了一个集32KI-Cach和32KD-Cach128TLBentriNEON?技术，该测试芯片基于ARMCortex-A 9双核处置器设计。以及包括调试和追踪技术的CoreSight?设计套件。除高速规范单元库，该测试芯片还采用高速定制存储器和单元库以提高性能。设计规则检测之签核流程（sign-off结果已达到900MHzWC预计2012年第二季度流片结束后，实测结果将达到1.0GHz
大幅缩短了整个芯片设计时间，灿芯半导体总裁兼首席执行官职春星博士指出：ARMCortex-A 9双核测试芯片采用了中芯国际的40纳米低漏电工艺。并且降低了开发本钱与流片风险，这一系列工艺技术和设计上的优化措施将推动高性能的Cortex-A 9处置器快速面市。很高兴在处置器内核及其优化实现上与ARM及中芯国际建立紧密的合作伙伴关系，该测试芯片的顺利流片再次证明了三家公司合作的胜利。有了ARM和中芯国际的支持，必将为需要高性能ARM内核的客户带来巨大价值。
中芯国际能够为客户提供一个快速实现从设计到生产的完整平台。十分重视与灿芯、ARM合作伙伴关系。也正因为他努力，中芯国际首席商务长季克非表示：通过与ARM和灿芯的密切合作。才干达成此40纳米技术的重要里程碑，这对我为客户提供最先进的制程技术’共同许诺是最有力的证明。中芯国际40纳米技术结合ARMCortex-A 9处置器和灿芯的设计流程，将有助于满足高性能和低功耗消费电子产品日益增长的需求。 |
