为全球的计算设备奠定基础。英特尔（纳斯达克：INTC计算创新领域的全球领先厂商。英特尔设计和构建关键技术。
NA ND闪存技术领域树立了新的标杆。两家公司还宣布开始量产其20纳米制程64GbNA ND闪存，英特尔公司和美光科技公司日前宣布推出全球首款20纳米制程128Gb多层单元（MLCNA ND设备。进一步扩展了双方在NA ND制程工艺技术领域的领导地位。
也是业内首款通过在指尖大小的封装中仅集成8块芯片来实现1Tb数据存储容量的NA ND设备。与英特尔及美光现有的20纳米制程64GbNA ND设备相比，单片容量达128Gb全新20纳米制程NA ND设备是由英特尔与美光的合资企业—IMFlashTechnologIMFT开发而成。新设备在存储容量和性能方面均提升了一倍。还符合高速ONFI3.0OpenNA NDFlashInterfac3.0规范，传输速度可达333MT/每秒百万次传输）可为用户带来更加经济高效的固态存储解决方案，以满足当今纤薄时尚型产品，包括平板电脑、智能手机和大容量固态硬盘（SSD设计需求。
以及服务器需求的日益增加，美光公司NA ND解决方案部门副总裁GlenHawk表示：随着便携式产品日趋小型化和时尚化。用户期望美光能够推出创新的存储技术和系统解决方案来应对这些挑战。将继续深化与英特尔公司的合作，不时推出领先的NA ND技术和提供对构建相关系统来说至关重要的专业知识。
其20纳米制程工艺技术胜利的关键，英特尔和美光还透露。就在于一种创新的存储单元结构，拥有比保守结构更高的存储单元可扩展性，这一结构就是业界首创的平面存储单元结构。该结构能够协助有效克服先进制程技术一直面临的挑战，同时实现毫不逊色于上一代产品的卓越性能与可靠性。平面存储单元结构通过在NA ND闪存制造中集成首个高K/金属栅极堆栈，胜利打破了规范NA ND闪存浮置栅极单元的扩展限制。
制造团队创下了多个业界第一，英特尔公司副总裁兼非易失性存储器解决方案事业部总经理RobCrook表示：英特尔和美光的携手努力下。推出了众多高密度、低成本的高品质20纳米制程NA ND设备，有力地巩固了NA ND技术领域的领导地位，对此我备感振奋。通过使用平面存储单元结构和高K/金属栅极堆栈技术，IMFT进一步提升了NA ND闪存解决方案上的技术能力，以支持更多富有吸引力的全新产品、服务及设备规格的问世。
三大相互关联的市场趋势激发了对于大容量NA ND闪存设备的需求，当前。包括：数据存储的增长、向云计算的迈进及便携式设备的广泛使用。随着数字化内容的日益增长，用户希望能够跨多种设备使用数据，并通过云计算进行同步。为有效传输数据，服务器需要采用高性能、大容量的存储设备，而这正是NA ND闪存的优势所在与此同时，由于数据访问量的增加，移动设备的存储容量也在不时增长，高清晰度视频就是需要大容量存储支持的一个应用范例，这是因为以数据流方式传输此类内容难以实现逊色的用户体验。这些需求使得高性能、小型化的存储设备日渐受到欢迎，无论是接收内容的移动设备上，还是交付内容的存储服务器上，均可找到用武之地。
通过在12月开始量产20纳米制程64GbNA ND闪存产品，英特尔和美光表示。将有助于在2012年快速转换到128Gb设备的生产。128Gb设备的样品将在2012年1月份推出，紧接着在2012年上半年就可实现批量生产。这一里程碑式的转换将会进一步增大产品存储密度并大幅提升总体产量，同时也可协助两家公司的开发团队获得设计复杂存储解决方案和改善未来相关技术所需的专业知识及经验。
关于美光
主要生产并销售全系列的DRA MNA ND和NOR闪存，美光科技公司是世界领先的先进半导体解决方案提供商。美光业务普及全球。以及其它创新性存储技术、封装解决方案和半导体系统，适用于各种尖端的计算、消费、网络、嵌入式和移动产品。美光普通股在纳斯达克（NA SDA Q上市，代码为MU如欲了解有关美光科技公司的更多信息，请访问：www.micron.com
关于英特尔 |
