OtpiMOST2为业界率先采用至无铅封装的车用电源的MOSFET系列产品包括IPB160N04S4-02D160A TO-263封装）IPB100N04S4-02D100A TO-263IPP100N04S4-03D100A TO-220以及IPI100N04S4-03D100A TO-262皆已上市。
英飞凌宣布推出采用TO无铅封装的汽车电源的MOSFET系列产品新型40VOptiMOS?T2MOSFETTO-262以及T2系列产品的量产已准备就绪。
更严格的ELV符合RoHS规范可能将于2014年施行，英飞凌的MOSFET新系列产品逾越了现行欧盟RoHS指令对于含铅焊锡封装的规范。届时将要求采用完全无铅的封装方式。作为业界首款无铅封装MOSFET英飞凌的新产品让客户满足更严格的要求。
英飞凌推出至无铅封装的汽车电源的MOSFET新型40VOptiMOS?T2MOSFET
英飞凌汽车电子事业处规范电源产品副总裁暨总经理弗兰克Schwertlein且符合RoHS环保之MOSFET协助客户开发节能的绿色”产品。
英飞凌专利的无铅黏晶（芯片粘接）175μm为功率半导体提供多项改良：
环保的技术：不使用线索及其他有毒物质。
扩散焊接黏晶技术结合薄晶圆制程：大幅降低封装的导通电阻值的RDSon
阻碍了??MOSFET接面之散热。热阻（RthJC改善率高达40-50％：保守的软线索焊料的热传导能力不佳。
以及更收敛的RDSON与RthJ其他优点还包括：由于没有焊锡流量迹（出血）及晶片倾斜（芯片tilt问题。C
其RDSON仅2.0mΩ且RthJC仅0.9K/W相较于使用规范线索焊接的同类产品，从新款的OptiMOST240V如：IPB160N04S4-02D160A 规格产品得知。其导通电阻降低了约20％的OptiMOST2产品拥有同级产品中最佳效能。
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