三星电子昨日表示，三星目前唯一的海外芯片工厂位于美国德州奥斯汀。奥斯汀建设的系统LSI半导体制造工厂「S2生产线」提前1个月竣工，已开始投入生产。生产45纳米逻辑电路芯片的S2生产线具备每月4万片的产能。
三星计划投资约35亿美元，韩国三星电子在中国又有大动作！韩国媒体报导。中国开办芯片工厂，并于2013年投入营运。据该公司一份监管档中表示，工厂将采用先进的20纳米技术，生产NA ND快闪存储器芯片。
招睐各国业者将高新技术与研发留在中国，中国政府过去一直以「技术换市场」的战略。但业者唯恐技术外流，最先进的技术始终留在母国。今天中国虽贵为世界工厂，但吸收的大多是各国已经发展幼稚或即将换代的技术，如今三星电子却引进先进技术、重金在中国投资快闪存储器工厂，面前意义殊堪玩味。
三星电子昨（6日表示，据韩国媒体报导。决定在中国建立工厂，从2013年开始生产NA ND快闪存储器芯片。报导称，三星此举旨在寻求抓住智能手机和平板计算机快速发展的机会。未来三星快闪存储器芯片生产线将采用先进的20纳米制程，但并未透露该座新工厂的位址和具体投资金额。
该工厂将是三星继美国德州奥斯汀之后的第2座海外芯片制造工厂，报导提到如果建厂计划获得中国官方批准。三星还计划在中国建立平板显示屏幕生产基地。
三星将为中国新厂投资4兆韩元（约合35亿美元）至5兆韩元。韩国新韩投资公司分析师金永灿预计。
三星表示，报导称。已经就在外国投建生产基地向韩国政府提交申请，后者要求三星需要提出类似申请，主要是担忧有价值的高科技技术外泄。 |
