美光将利用IBM 3D制程制造首颗商用内存芯片-SMT服务网

设为首页

加入收藏

用户名：

密码：

个人会员企业会员

忘记密码免费发布信息广告服务

供求

企业

配件

文章

新闻

资料

原厂

视频

信息搜索：

网站首页

企业信息

行业新闻

供求信息

人才市场

原厂配件

配件超市

资料中心

技术文章

视频信息

DEK论坛

您的位置: SMT服务网 >> 行业新闻 >>

推荐新闻

·英特尔：10nmCPU今年底大量.
·纳微半导体将在中国台湾的电源设计.
·英特尔携手德国电信（DT和华为成.
·半导体硅晶共需扩大.
·国产CPU自主发展.
·5G网通时代来临.
·北京小鱼在家科技有限公司（简称小.
·英飞凌第二代AURIX?TC3x.
·安森美半导体在业界获得最高荣誉.
·人工智能芯片领域新星Gyrfal.
·创新的和多样化的网络方案是国物联.
·机器人Loomo成现场吸睛利器 .
·恩智浦AutomDriveKit.
·智能家居语音通道正式开启中国电信.
·孩之宝展会限量版DROPMIX卡.
·欧司朗先进的LiDA R技术让自.

视频信息

· Load Product File - ..

· Fit Tooling (Mag Pins)

· Fit Squeegees - Feed..

· Fit Squeeegees - No ..

· Correct Tooling (Mag..

· Correct Squeegees

· Correct ProFlow

· E Stop Operation

· 三星SM系列贴片机(SM400系列)视频

· 三星SM系列贴片机(SM320系列)视频

行业新闻

美光将利用IBM 3D制程制造首颗商用内存芯片

文章来源：半导体制造发布时间:2011/12/3 10:21:02 【关闭】

IBM表示促使美光(Micron混合式记忆体立方体(HybridMemoryCub不久成为第一颗采用3D制程的商用芯片。近日。

美光将会开始生产利用IBM3D芯片制程硅穿孔(through-siliconvias;TSV所打造的第一颗芯片。硅穿孔制程将运用在美光的混合式记忆体立方之中。美光芯片的局部零件将会在IBM位于纽约的晶圆厂生产。

IBM将会在12月5日于美国华盛顿举行的IEEE国际电子装置会议上展示它TSV制程技术。

混合式记忆体立方(HMCDRA M封装的一项突破。HMC原型能以每秒128GB速率执行，对于美光而言。相较于目前的记忆体芯片的速率为12.8GB/HMC使用的电力也少了70%

HMC将会运用在网路与高效能运算设备、工业自动化与消费性产品等。目前HMC将主要针对高端用户。

上一篇： 2011十大古怪科技新闻：意念可控制汽车

下一篇：应用材料公司推出原子级薄膜处理系统降低芯片功耗


	网站友情链接
电动推杆电源适配器企讯网 DEK配件 SMT配件