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行业新闻 |
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IBM和ARM正进行小功率SOI芯片研究 |
| 文章来源：中电网
发布时间:2011/11/15 10:43:32 【关闭】 |
| 由于受超薄氧化物层覆盖，采用该种芯片的设备将提供更好的性能以及更低的能耗。参与此次合作研究的公式有ARM法国半导体厂商Leti比利时鲁汶大学(theUniversité CatholiqudeLouvainIBMGlobalfoundri法国SoitecSOI工业协会组织的执行总裁HoracioMendez表示：这项工作标明标明电路板的制成技术由体硅转向FD-SDI可以直接进行，这仅取决于特定芯片制造商所使用的FD-SDI技术。这项设计能缩短基于FD-SOI设备的面世时间，同时将带来更优化的IC以及更快的实时速度。研究中bulk-to-fd-soi网络芯片设计的移植，将在现有的平面设计中进行最小的调整，尤其是可行的规范单元库、内存编译器和输入输出操作系统，以获得模拟和混合信号设计。FD-SOI一项设计特点是其潜在性能，运行全IP内核或者整组芯片时电压的供给可以非常低，大概在0.5-0.6V之间。
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