公司自行开发技术，焦佑钧表示。带动员工士气更为高昂，预期SerialNORFlash取代ParallelNORFlash产业趋势继续，华邦也将关注客制化DRA M市场，继续提升技术，降低本钱，以及发明产品的附加价值为努力方向，目标仍是每季都能维持获利。
序列式闪存(SerialNORFlash渐成主流，据集邦科技 华邦电子(2344董事长焦佑钧表示。为产业近来发生的变化，明年华邦将继续布局手机市场，并继续以自行开发的技术提升制程，降低本钱。
效能佳，平行式闪存(ParallelNORFlash为高密度产品。价格较高；序列式属于低密度产品，效能较差，价格低；近年来，市场趋势呈现转变，封装制造本钱考虑，以及序列式闪存的效能逐渐提升，越来越受到青睐，尤其是中低阶的功能性手机开始采用序列式闪存，带动生长。
今年开始切入手机运用，华邦电耕耘序列式闪存市场已久。明年将继续拓展手机市场；DRA M方面，华邦以特殊型DRA M为主，焦佑钧认为DRA M短期间仍比较辛苦。
当时就发现每月要为其代工DRA M1.5万片是很不划算的生意，华邦过去曾实行奇梦达的技术。甚至比付权利金更不利；奇梦达在金融海啸时破产并退出市场后，华邦就决定自行开发技术，目前为台系DRA M厂中唯一一家有自主技术者，以46奈米DRA M技术及58奈米Flash制程的产品将在第四季正式送样，至于下一世代将再切入何种制程则将于近期决定。 |
