常忆科技于2011年7月29日正式宣布推出全球第一颗256Kbit序列闪存产品─PM25LD256C台湾新竹。
由于在小容量产品上已无法有效降低diesize及成本,市场上既有的序列闪存厂商之技术.因此序列闪存产品在业界之最小容量一般只做到512Kbit,惟常忆科技以pFlash专利设计才干有效降低512Kbit以下容量的Flashdiesize,故决定推出该项业界独有之产品。
需要极小容量顺序代码或数据存储的运用方面,常忆科技256Kbit序列闪存产品的主要应用市场.如NB/PCcam游戏机、服务器、数字机上盒、数字电视等等原本使用EEPROM32Kbit~256Kbit之应用。不增加现有接脚数,且能提供极佳读写速度,擦写次数,低耗电量及临时数据保管年限,并协助系统厂商降低原本较昂贵的EEPROM本钱最高可达60%,常忆科技256Kbit序列闪存产品是最合适的选择。
0.18umpFlash-40度C至105度C可确保在经过20万次擦写后仍可保管资料长达20年。相较同业普遍使用的其它技术，diesize面积约可缩小百分之40并降低使用功率以及静态电流,藉由PMOSband-to-band-tunnelBTBT专利的制程结构。故常忆科技之序列闪存在过去十年继续提高出货量及市占率,质量表示在2010全年累计为0.4ppm,更为闪存创下业界品质之标竿。
于七月正式量产。相关产品说明请至常忆科技网站查询。常忆科技已于今年四月推出PM25LD256C样品后。
以下为PM25LD256C产品之主要功能说明:
功能
容量:256Kbit;符合SerialPeripherInterfac基本协议架构
抹除单位:4K-byteor32K-byte
写入单位:256-byteperpage
工作电压范围 :2.7-3.6V
符合工业级温度范围 -40~105C
性能表示
读取性能表示:Max100MHzforfastread
写入性能表示(时间):Typic2mperpageprogram
抹除性能表现(时间):Sector/Block/ChipMax7ms
Typic10mA program/erascurren耗电表示:Typic1mA activreadcurrent.t
000cycle擦写次数:Min200.s
资料保管年限:Min20years
封装
TSSOP,业界规范之 8pinSOIC.USON,KGD
符合RoHS无铅封装
关于常忆科技：
成立于1995年，常忆科技。为拥有P-channel闪存技术的先锋并拥有超越六十个设计、组件及技术专利的专业IC设计厂商。常忆科技以pFlash为商标，设计并销售NORflash产品以应用于个人计算机、电子消费、网络及无线通讯相关组件，并为低容量NORflash主要供货商之一。常忆科技也以pFusion为商标，使用其PMOS非挥发性内存的专利，提供合作晶圆厂嵌入式闪存及嵌入式非挥发性内存解决方案，并授权其制造各种不同的微控制器及IC卡。 |
