恩智浦半导体NXP日前宣布推出采用DFN2020-6SOT1118无铅塑料封装的超紧凑型中等功率晶体管和N沟道TrenchMOSFET产品PBSM5240PFDFN2020-6SOT1118无铅塑料封装占位面积仅有2x2mm高度仅为0.65mm专门针对诸如移动设备等高性能消费产品的小型化发展趋势而设计。
PBSM5240PF不但能节省PCB板空间，作为业界首款集成低VCEsatBISS晶体管和TrenchMOSFET二合一型产品。而且具有卓越的电气性能。
相比之下PBSM5240PF可减少超过50%电路板占用面积，保守的小信号晶体管 BISS/MOSFET解决方案通常需要采用两个封装。使封装高度降低10%以上。此外，DFN2020-6SOT1118封装还集成了一个散热器，令散热性能提高了25%从而可支持高至2A 电流，并因此降低了能耗。
适用于手机、MP3播放器以及其他便携式设备。也可被用于那些要求最佳散热性能、较高电流支持和占用面积小的负载开关或电池驱动设备中。PBSM5240PF可用作便携式电池充电电路的一部分。
积极评价
BISS/MOSFET解决方案的独特之处和魅力所在就是其极小的占位面积、逊色的电气性能、散热性能以及无铅封装。这款集成式的封装产品最高可支持40V电压，恩智浦产品经理JoachimStang表示：对于便携式设备领域来说。非常适合当今日益纤薄化的小型移动设备使用。而对于这类设备，高度和电路板空间是关键的设计考虑因素，每一毫米都至关重要。
技术参数
PBSM5240PF小信号晶体管（BISS和N沟道 TrenchMOSFET主要特性包括：
集电极大电流能力（IC和ICM
集电极大电流下拥有高电流增益 hFE
能效高发生热量小。
极低的集电极-发射极饱和电压（VCEsat
封装占位仅为2x2mm可减少印刷电路板尺寸
上市时间
恩智浦PBSM5240PF突破性小信号(BISS晶体管和N通道TrenchMOSFET即将通过全球主要经销商供货。 |
