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行业新闻  

国内最大规模IGBT半导体产业基地开建

文章来源:人民网     发布时间:2011/5/31 8:32:59  【关闭】

5月25日,中国南车大功率IGBT产业化基地奠基,标志着我国首条8英寸IGBT芯片生产线项目正式启动。项目设计年产8英寸芯片12万片、IGBT模块100万只,中国南车成为国内唯一掌握IGBT芯片设计、芯片制造、模块封装、系统应用完整产业链的企业,填补了国内相关技术领域的空白。

IGBT,又称新型功率半导体器件——绝缘栅双极型晶体管,是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品,广泛应用于轨道交通、航空航天、船舶驱动、智能电网、电力电子、新能源汽车等战略性产业领域,是节能技术和低碳经济的主要支撑,被业界誉为绿色经济的核心。未来十年,轨道交通、新能源、电动汽车等绿色经济产业将保持每年20%—30%的高速增长,IGBT市场发展前景光明。

目前国内IGBT的主要供应商为外国厂商,为支持我国企业技术突围,IGBT成为国家产业政策重点支持和扶植的重大科技项目。中国南车大功率IGBT产业化基地建设项目,总投资14亿元,预计2013年正式投产。建成后,该基地将具备年产12万片8英寸IGBT芯片和100万只大功率IGBT器件的能力,年产值超过25亿元,其产业规模和技术实力均达到国际领先水平。产品满足轨道交通以及电动汽车、风力发电、太阳能发电、智能电网、高压变频、工业传动等多个行业需求,成为我国首个完全依靠自主能力建设的、设计规模最大、技术实力最强、产品型谱最全的大功率IGBT产业化基地,改变核心技术受制于人,产品依赖进口的不利局面,为建设资源节约型和环境友好型社会,促进国民经济快速健康发展做出重要贡献。

 
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