Diodes封装MOSFET可节省七成电路板空间

Diodes公司推出旗下有助节省空间的DFN3020封装分立式产品系列的首批MOSFET。这三款双MOSFET组合包含了20V和30V N沟道及30V互补器件。这些双DFN3020 MOSFET的电学性能与较大的SOT23封装器件不相上下，可以替代两个独立的SOT23封装MOSFET，节省七成的电路板空间。

DFN3020 MOSFET系列的占位面积只有6平方毫米，离板高度为0.8毫米，较采用SOT23或TSOP-6封装的器件低四成，适用于平板电脑或上网本等空间有限、体积小巧的消费电子产品的负载开关或升压转换电路。这款互补型DFN3020 MOSFET还可用作半桥 (half bridge) 来驱动工业应用中的电机负载。

这些MOSFET的结点至环境热阻 (ROJA) 为83ºC/W，功耗可连续保持在2.4W的高水平，工作温度也低于SOT23封装MOSFET可达到的水平，因而有助提高可靠性。

ZXMN2AMC (双20V N沟道)、ZXMN3AMC (双30V N沟道) 及ZXMC3AMC (互补30V) DFN3020封装MOSFET现已开始供应。