IHS公司DRA M与内存首席分析师。作者MikeHoward.
目前形式的移动DRA M可能缺乏以满足智能手机和平板电脑的需求，据IHSiSuppli公司的研究。因其在处置各种应用时涉及大量数据。其它形式的移动DRA M正在浮现，可能取代现有解决方案。
预计到今年第二季度将占据40%份额，低功耗DDR2LPDDR2正在成为移动DRA M领域中的主要技术。高于第一季度的31%大部分移动DRA M市场仍然由较旧的LPDDR1技术控制，但时间不会太长了
情况将会发生改变，今年第四季度。届时LLPDDR2将首次取得优势，控制58%市场份额，如下图所示。
但现在三星、海力士半导体、尔必达和美光等重要厂商正在向这个领域投入更多的工程与开发努力。不同于标准DRA M移动DRA M功耗较低、发热较少而且占用的空间较小，移动DRA M曾经是DRA M市场中的一潭死水。特别适合智能手机和其它小型电子产品。这些产品都需要更强的计算能力和更小的占用空间。移动DRA M也用于数码相机、便携媒体播放器、便携游戏产品和平板电脑。
其性能能否满足未来产品的要求。虽然LPDDR2现在对于手机和平板电脑来说已足够，移动DRA M面临的一个主要挑战。但功耗和宽带问题仍然令人关注。
工作电压为1.2V时候，例如。LPDDR2每次数据传输中可以比LPDDR1节省50%左右的功耗。但是如果未来设备的数据传输量是目前的10倍—很快就会达到这样的水平，则LPDDR2将根本无法满足要求。
需要数据率高达每秒12.8GB这将要求LPDDR2把时钟频率提高到800MHz而IHS公司认为这似乎不太可行。LPDDR2传输速度是每秒8.5GB而LPDDR1只有1066MHz这点也很突出。但LPDDR2这样的速度可能缺乏以满足即将推出的产品。智能手机厂商的反馈显示。
下一步是什么？
并很快无力满足更高的要求，由于LPDDR2可能达到性能极限。几种移动DRA M技术正在争取人们关注，试图取而代之，如下表所示。
准备充任免授权费的内存接口。目前处于前列的包括：Rambu公司的移动XDRSPMT联盟开发的串行端口内存技术。
但不一定是移动技术；LPDDR3其参数仍然未定；DDR4一种标准DRA M2013年以前可能不会面世。其它移动DRA M技术包括WideI/O声称要在硅片层面连接DRA M内核。 |
