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三星开始大批量生产移动4GB DRAM内存芯片

文章来源：赛迪网发布时间:2011/3/26 9:10:47 【关闭】

三星在声明中称，三星本月初开始大批量生产基于30纳米级技术的4GB低功率双数据速率2LPDDR2DRA M内存芯片。

三星去年12月开发出移动DRA M内存芯片。三星称，内存行业首家使用30纳米级技术生产这种内存芯片的厂商。这将提高芯片的生产效率和节省成本。新型芯片比以前的芯片生产效率提高了大约60%

最新的移动DRA M内存芯片能够用于智能手机、平板电脑和其它更薄、更轻和速度更快的移动设备。这种新型DRA M内存芯片仅把两个芯片叠加在一起都达到四个芯片叠加在一起的同样密度，从而减小了芯片的尺寸。三星负责内存销售和营销的执行副总裁HongWan-hoon声明中称，这种新的移动DRA M内存芯片能够让我OEM厂商客户更快地把更加差别化的高性能移动设备推向市场。

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