据iSuppli公司，作为多种消费电子产品的事实性存储媒介，NAND闪存2011年将再度实现两位数的增长。
2010年NAND闪存销售额创下最高纪录，增长38%。预计今年销售额将达到220亿美元，比2010年的187亿美元增长18%。而NAND闪存比特出货量增长幅度更大，预计2011年增长72%，达到193亿GB。
尽管增长势头强劲，但2011年底市场形势可能发生变化。考虑到目前市场中乐观气氛弥漫，而且供应商可能过度投资扩大生产，风险可能在2011年底浮现，届时供应可能超过需求。预计2012年市场略有下降，随后在2013年回升11%，2014年再度增长，如图3所示。
NAND需求的最大领域历来是商品类闪存，例如它大量用于优盘和捆绑类microSD存储卡。但iSuppli公司认为，由于该领域更加成熟，未来几年其重要性将会下降。
另一方面，NAND的需求情况显示，在嵌入应用领域的增长没有放缓迹象，这是NAND闪存的另一个主要应用领域。手机等流行产品，特别是智能手机，对NAND闪存的使用继续快速增长，最近兴起的平板电脑也是如此。在苹果iPad的刺激下，三星电子、戴尔和Research In Motion Ltd.等厂商也纷纷推出自己的平板电脑，NAND闪存可能迎来急剧增长的一年。
2011年市场充满活力
在嵌入市场，竞争日趋激烈。总部在美国爱达荷州的美光去年初收购Numonyx之后，实力变得更加强大。Numonyx生产非易失性内存，用于手机、数码相机、MP3播放器、电脑等高科技产品。2010年美光市场份额上升，成为全球第三大NAND供应商，位居三星和东芝之后。
iSuppli公司预计，今年嵌入NAND市场将涌现更多的挑战者。比如，美国金士顿最近与台湾群联电子组建的合资企业。这两家公司将向智能手机和平板电脑提供移动储存产品，双方结盟旨在更有效地抗衡市场领头羊三星电子。
iSuppli公司认为，对于嵌入式闪存与商品闪存这两个领域来说，成功的关键在于控制器技术的发展。下一代闪存将需要60-bit至80-bit的纠错码(ECC)引擎，而四年前只是2-bit ECC。为了成功地推出下一代存储产品，需要控制器的密切配合——同时开发并为NAND做好准备。
厂商积极向2X-纳米工艺前进，可能推动供应超过需求，这是很危险的情形。由于嵌入市场要求更高的性能和可靠性检验，而检验通常需要三到六个月时间的验证，供应商可能选择快速提高产量，类似于2010年TLC闪存的情况，当时需求落后于供应。
这种情况可能具有破坏性，导致今年上半年平均销售价格大幅下滑，并使该市场陷入混乱。 |
